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    1.Localized in-gap state in a single-electron doped Mott insulator

    Leong, WH, Yu, SL, X     More...

    PHYSICAL REVIEW B[2469-9950], Published 2014, Volume 90, Issue 24,

    收錄情况： WOS SCOPUS

    WOS核心合集引用: 11  2022影響因子:  3.7 

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