1.A floating-gate field-effect transistor memory device based on organic crystals with a built-in tunneling dielectric by a one-step growth strategy

Chen, ZC, Chen, S, J     More...

Chen, ZC, Chen, S, Jiang, TH, Chen, S, Jia, RF, Xiao, YL, Pan, J, Jie, JS, Zhang, XJ     Less

NANOSCALE[2040-3364], Published 2024, Volume 16, Issue 7, Pages 3721-3728

收錄情况： WOS SCOPUS

WOS核心合集引用: 2  2023影響因子:  5.8 

2.Breaking Fundamental Limitation of Flow-Induced Anisotropic Growth for Large-Scale and Fast Printing of Organic Single-Crystal Films

Sheng, FM, Deng, W,     More...

Sheng, FM, Deng, W, Ren, XB, Liu, XY, Meng, XH, Shi, JL, Grigorian, S, Jie, JS, Zhang, XJ     Less

ADVANCED MATERIALS[0935-9648], Published 2024,

收錄情况： WOS SCOPUS

WOS核心合集引用: 6  2023影響因子:  27.4 

3.Large-Area Deposition of Highly Crystalline F4-Tetracyanoquinodimethane Thin Films by Molecular Step Templates

Qiu, FQ, Deng, W, Sh     More...

Qiu, FQ, Deng, W, Shi, XM, Ai, DW, Ren, XB, Dong, AY, Zhang, XJ, Jie, JS     Less

SMALL SCIENCE[2688-4046], Published 2024,

收錄情况： WOS SCOPUS

WOS核心合集引用: 1  2023影響因子:  11.2 

4.Metal Halide Perovskite Single Crystals toward Electroluminescent Applications

Wang, CQ, Chen, S, J     More...

Wang, CQ, Chen, S, Jie, JS, Tian, C, Jia, RF, Wu, XF, Zhang, XH, Zhang, XJ     Less

ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS[1616-301X], Published 2024,

收錄情况： WOS SCOPUS

WOS核心合集引用: 3  2023影響因子:  18.5 

5.Anion Bulk Doping of Organic Single-Crystalline Thin Films for Performance Enhancement of Organic Field-Effect Transistors

Dong, AY, Deng, W, W     More...

Dong, AY, Deng, W, Wang, YJ, Shi, XM, Sheng, FM, Yin, YL, Ren, XB, Jie, JS, Zhang, XJ     Less

ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS[1616-301X], Published 2024,

收錄情况： WOS SCOPUS

WOS核心合集引用: 3  2023影響因子:  18.5 

6.Pre-Nucleation Strategy for Room-Temperature Growth of Perovskite Single Crystals toward Efficient Perovskite Light-Emitting Diodes

Wang, CQ, Tian, C, C     More...

Wang, CQ, Tian, C, Cheng, YY, Chen, S, Jie, JS, Zhang, XH, Zhang, XJ     Less

ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS[1616-301X], Published 2024,

收錄情况： WOS SCOPUS

WOS核心合集引用: 0  2023影響因子:  18.5 

7.Narrow-bandgap Sn-Pb mixed perovskite single crystals for high-performance near-infrared photodetectors

Chang, ZZ, Lu, ZJ, D     More...

Chang, ZZ, Lu, ZJ, Deng, W, Shi, YD, Sun, YY, Zhang, XJ, Jie, JS     Less

NANOSCALE[2040-3364], Published 2023, Volume 15, Issue 10, Pages 5053-5062

收錄情况： WOS

WOS核心合集引用: 23  2023影響因子:  5.8  发表年影響因子:  5.8 

8.Water-Surface-Mediated Precise Patterning of Organic Single-Crystalline Films via Double-Blade Coating for High-Performance Organic Transistors

Xiao, YL, Deng, W, H     More...

Xiao, YL, Deng, W, Hong, JJ, Ren, XB, Zhang, XJ, Shi, JL, Sheng, FM, Zhang, XH, Jie, JS     Less

ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS[1616-301X], Published 2023, Volume 33, Issue 23,

收錄情况： WOS

WOS核心合集引用: 3  2023影響因子:  18.5  发表年影響因子:  18.5 

9.Lateral Homoepitaxy Growth of Organic Single-Crystal Arrays for Large-Scale and High-Performance Organic Field-Effect Transistors

Jiang, HY, Lu, ZJ, D     More...

Jiang, HY, Lu, ZJ, Deng, W, Qiu, FQ, Zhang, YJ, Shi, JL, Jie, JS, Zhang, XJ     Less

ACS MATERIALS LETTERS[2639-4979], Published 2023, Volume 5, Issue 11, Pages 3126-3135

收錄情况： WOS SCOPUS

WOS核心合集引用: 1  2023影響因子:  9.9  发表年影響因子:  9.9 

10.Room-temperature growth of perovskite single crystals via antisolvent-assisted confinement for high-performance electroluminescent devices

Pirzado, AAA, Wang,     More...

Pirzado, AAA, Wang, CQ, Zhang, XJ, Chen, S, Jia, RF, Zhang, HY, Wang, JW, Malo, TA, Lin, J, He, G, Akman, E, Huang, JS, Jie, JS     Less

NANO ENERGY[2211-2855], Published 2023, Volume 118,

收錄情况： WOS SCOPUS

WOS核心合集引用: 9  2023影響因子:  16.8  发表年影響因子:  16.8 

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1.基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法

揭建胜,张晓宏,邓巍,肖彦玲     More... 揭建胜,张晓宏,邓巍,肖彦玲     Less

專利權人: 苏州大学     More... 苏州大学     Less

申請號: CN202010501247.7 申請日: 2020/6/04

公開（公告）號: CN111682109A 公開（公告）日期: 2020/9/18

IPC分類號: H01L51/00;B81C1/00

法律狀態: 实质审查

同族信息: CN111682109A

2.富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法及有机场效应晶体管

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專利權人: 苏州大学     More... 苏州大学     Less

申請號: CN202010449299.4 申請日: 2020/5/25

公開（公告）號: CN111697134A 公開（公告）日期: 2020/9/22

IPC分類號: H01L51/05;H01L51/40;H01L51/30;C30B29/02;C30B29/62;C30B7/06

法律狀態: 实质审查

同族信息: CN111697134A

3.一种图案化硅结构的制备方法及硅基光伏电池

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專利權人: 苏州大学     More... 苏州大学     Less

申請號: CN202010427147.4 申請日: 2020/5/19

公開（公告）號: CN111697088A 公開（公告）日期: 2020/9/22

IPC分類號: H01L31/0236;H01L31/18;H01L31/028;H01L31/06

法律狀態: 实质审查

同族信息: CN111697088A

4.图案化有机晶体阵列的制备方法及有机场效应晶体管

张秀娟,揭建胜,邓巍,方晓辰     More... 张秀娟,揭建胜,邓巍,方晓辰     Less

專利權人: 苏州大学     More... 苏州大学     Less

申請號: CN202010408931.0 申請日: 2020/5/14

公開（公告）號: CN111554812A 公開（公告）日期: 2020/8/18

IPC分類號: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40

法律狀態: 实质审查

同族信息: CN111554812A

5.有机晶态薄膜的制备方法及有机场效应晶体管

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專利權人: 苏州大学     More... 苏州大学     Less

申請號: CN202010408880.1 申請日: 2020/5/14

公開（公告）號: CN111564558A 公開（公告）日期: 2020/8/21

IPC分類號: H01L51/40;H01L51/05

法律狀態: 实质审查

同族信息: CN111564558A

6.一种单晶电致发光器件的制备方法

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專利權人: 苏州大学     More... 苏州大学     Less

申請號: CN202011602113.0 申請日: 2020/12/29

公開（公告）號: CN112713255A 公開（公告）日期: 2021/4/27

IPC分類號: H01L51/56;H01L51/54

法律狀態: 公开

同族信息: CN112713255A

7.避免场效应晶体管少数载流子注入的方法及场效应晶体管

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專利權人: 苏州大学     More... 苏州大学     Less

申請號: CN202010019450.0 申請日: 2020/1/8

公開（公告）號: CN111192959A 公開（公告）日期: 2020/5/22

IPC分類號: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40

法律狀態: 实质审查

同族信息: CN111192959A

8.一种新型晶硅太阳电池及其制备方法

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專利權人: 苏州腾晖光伏技术有限公司, 常熟理工学院     More... 苏州腾晖光伏技术有限公司, 常熟理工学院, 苏州大学     Less

申請號: CN201910920589.X 申請日: 2019/9/26

公開（公告）號: CN110634973A 公開（公告）日期: 2019/12/31

IPC分類號: H01L31/0288; H01L31/0352; H01L31/068; H01L31/18

法律狀態: 实质审查

同族信息: CN110634973A

9.一种晶硅太阳电池及其制备方法

张树德, 魏青竹, 况亚伟, 钱洪强,     More... 张树德, 魏青竹, 况亚伟, 钱洪强, 丁可, 揭建胜, 张晓宏, 李跃, 连维飞, 倪志春, 刘玉申, 杨希峰     Less

專利權人: 苏州腾晖光伏技术有限公司, 常熟理工学院     More... 苏州腾晖光伏技术有限公司, 常熟理工学院, 苏州大学     Less

申請號: CN201910920590.2 申請日: 2019/9/26

公開（公告）號: CN110634983A 公開（公告）日期: 2019/12/31

IPC分類號: H01L31/068; H01L31/18

法律狀態: 实质审查

同族信息: CN110634983A

10.一种高效晶硅太阳电池及其制备方法

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專利權人: 苏州腾晖光伏技术有限公司, 常熟理工学院     More... 苏州腾晖光伏技术有限公司, 常熟理工学院, 苏州大学     Less

申請號: CN201910920631.8 申請日: 2019/9/26

公開（公告）號: CN110634964A 公開（公告）日期: 2019/12/31

IPC分類號: H01L31/0216; H01L31/0224; H01L31/0352; H01L31/0747; H01L31/18; H01L31/20

法律狀態: 实质审查

同族信息: CN110634964A